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这是一张扫描范围为500 nm的SiC原子台阶图像，台阶高度约为0.75 nm。SiC作为宽禁带半导体的代表材料，被认为是制作大功率半导体器件的理想材料。
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![[AFM] SiC原子台阶](/uploads/upload/20260625/260625153R2416.webp)
