原子力显微镜（AFM）从半导体领域的基础研究到工业应用都发挥着关键作用

原子力显微镜（AFM）作为纳米尺度表征的强大工具，在半导体领域从基础研究到工业应用都扮演着至关重要的角色。它不仅为半导体器件的设计、制造和优化提供了关键数据支持，还在推动摩尔定律持续发展、新型半导体材料（如宽禁带半导体、二维材料）应用等方面具有不可替代的优势。

随着半导体技术向更高集成度、更小尺寸、更多功能方向发展，原子力显微镜（AFM）技术本身也在不断进步（如高速AFM、多模式联用AFM等），未来其在半导体产业中的应用将更加广泛和深入。

如下图所示，这是一张扫描范围为30 μm的经过CMP工艺处理后的微孔阵列图像。CMP工艺是晶圆平坦化的关键工艺，对于表面粗糙度和面形的测量可以为CMP工艺的改进提供有力保障。

如下图所示，这是一张扫描范围为500 nm的SiC原子台阶图像，台阶高度约为0.75 nm。SiC作为宽禁带半导体的代表材料，被认为是制作大功率半导体器件的理想材料。

如下图所示，这是一张扫描范围为28 μm的微电极表面形貌图像，其高度约为120 nm。对于微电极表面粗糙度以及高度的检测，为其制造和加工工艺的改进提供了有力保障。